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第226章 如果有这一半的速度再加上这质量（第1页）

到晚上十点半左右，陈舟把张一凡送出了房间。

张一凡得抓紧时间赶回学校了，据他所说，他们的宿管阿姨简直不要太凶。

如果被锁在门外，写检讨都是轻的。

搞不好还要被通报批评呢。

见他说的这么严重，陈舟自然也不敢耽误他的时间。

只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和蔼可亲的吗？

要是晚归，不都是赶紧让你进来，生怕耽误你休息的吗？

帮张一凡喊了辆出租车，看着他上车，陈舟才再次回到房间。

一回去，就看到沈靖打了个哈欠。

陈舟不禁笑了笑，今天起得其实挺早的，而且在高铁上并没有补觉，这会这个点，确实有点犯困了。

“学长，先回去休息吧，明天四十三所的实验也要正式开始了。”

“没事，我再整理两篇。”沈靖说完，又打了个哈欠。

他是真的有点困了，如果按照一天的活动时间来算的话，那他已经连续近16个小时没有休息了。

“好啦，这事不急在一时，明天再弄。”陈舟说着过去帮沈靖关了电脑，督促他赶紧去睡觉。

沈靖看了陈舟一眼，把东西收拾好，朝自己房间走去。

临出门时，他突然停下脚步，转头问陈舟：“你该不会熬夜看文献吧？”

陈舟轻声笑道：“不至于，我再看一会就睡了。”

沈靖将信将疑的离开了，但回到房间后他觉得不对，这小子的一会到底是个什么概念呢？

想了一会，沈靖把电脑重新打开了。

工作，具有专注力的工作，将抵消那股疲惫的困意！

给自己打了个气，沈靖便开始继续了。

陈舟这边，等沈靖离开后，便坐回桌子前，继续看文献。

还剩两个，直流电弧等离子喷射CVD法和微波等离子体CVD法。

直流电弧等离子喷射CVD法，也叫DAPCVD法。

这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。

这种方法的优点就是，有极快的沉积速度。

是极快，不是一般的快！

在上世纪90年代的时候，就有实验室利用阴阳极呈直角的反应器实现了930mh的高速生长。

这可是930mh，不是930μmh！

而且，就算是930μmh，那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μmh的。

更不要说930mh了。

相比之下，一个的速度就是火箭，另一个则是自行车。

或许连自行车都算不上。

也是因为这种告诉生长的速率，这种方法一度成为热点方法。

制备工艺的话，也并不复杂。

主要就是在杆状阴极和环形阳极之间施加直流电压，当气体通过时引发电弧，加热气体，高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出，形成等离子体射流。

引弧的气体通常是氩气，等形成等离子体射流后，通入反应气体甲烷和氢气，甲烷和氢气被离化，并达到水冷沉积台的衬底，在衬底上成核、生长金刚石薄膜。

而且这种方法制备金刚石薄膜，不禁速度快，而且质量高，还无电磁污染。

但是，由于喷射等离子体的速度场合温度场不均匀，使其沉积范围内膜厚不均，会呈梯形分布。

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